Samsung sẽ hợp tác cùng Qualcomm sản xuất Snapdragon 835 trên tiến trình 10nm, QuickCharge 4.0
Theo Qualcomn, tiến trình 10nm FinFET sẽ giúp con chip xử lý mới rất nhiều. Nó sẽ có thể tăng hơn 27% hiệu năng và 40% tiết kiệm điện khi sử dụng. Việc này sẽ cho phép các nhà sản xuất smartphone có thể làm chiếc điện thoại của mình mỏng hơn mà vẫn giữ được cấu hình mạnh mẽ.
Bộ vi xử lý này cũng là vi xử lý đầu tiên được trang bị QuickCharge 4.0 được công bố cho đến bây giờ. Qualcomm công bố công nghệ sạc nhanh này cách đây không lâu, QuickCharge 4.0 sẽ có thể sạc nhanh hơn 20% và hiệu quả hơn 30% so với QuickCharge 3.0, nhờ công nghệ mới của Qualcomm - Dual Charge. Nó cũng hỗ trợ USB Type C, các chuẩn Power Delivery USB.
Snapdragon 835 dự kiến sẽ được ra mắt vào năm tới và có thể các siêu phẩm trong nửa năm đầu sẽ có thể sở hữu con chip này. Ngoài ra Qualcomm cũng giới thiếu hai IC mới quản lý điện năng là SMB1380 và SMB1381. Cho hiệu quả sạc nhanh tốt hơn và quản lý pin tốt hơn.
. Trở trang chủ tại ĐÂY
· Xem các tin tức mới nhất tại ĐÂY
. So sánh giữa Samsung Galaxy Note 5 và Samsung Galaxy S6 Edge Plus
